场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效
应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电
压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声
小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全
工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大
竞争者。
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（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID；
（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电
路的电压放大系数；
（5）场效应管的抗辐射能力强；
（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声
低
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